BAV99WG - Galaxy Microelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-BAV99WG
Hersteller Teil #: BAV99WG
Produktkategorie: Diodes - Bridge Rectifiers
Hersteller: Galaxy Microelectronics
Beschreibung: Rectifier Diode,
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
YES
Diode Element Material  
SILICON
Number of Terminals  
3
Part Life Cycle Code  
Active
Ihs Manufacturer  
CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO LTD
Forward Voltage-Max (VF)  
1.25 V
Number of Elements  
2
Operating Temperature-Max  
150 °C
Operating Temperature-Min  
-65 °C
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Style  
SMALL OUTLINE
Power Dissipation (Max)  
0.2 W
ECCN Code  
EAR99
Applications  
FAST RECOVERY
HTS Code  
8541.10.00.80
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Reach Compliance Code  
unknown
JESD-30 Code  
R-PDSO-G3
Configuration  
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
Diode Type  
RECTIFIER DIODE
Output Current-Max  
0.715 A
Number of Phases  
1
Rep Pk Reverse Voltage-Max  
75 V
Non-rep Pk Forward Current-Max  
2 A
Reverse Current-Max  
2.5 µA
Breakdown Voltage-Min  
75 V
Reverse Recovery Time-Max  
0.006 µs
Reverse Test Voltage  
70 V
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
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Häufig gestellte Fragen

What is the maximum amount of forward current in the BAV99W?

500 mA

What type of circuits does the BAV99W have high-speed switching in?

surface mounted circuits

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Rectifier Diode,
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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